目前全球只有一家厂商，能够制造EUV光刻机，那就是ASML。
而全球目前几乎所有的7nm以下的芯片，均采用EUV光刻机来制造，所以EUV光刻机，代表的就是全球先进芯片工艺。
考虑到EUV其实也是一代又一代升级，推动着芯片工艺的发展的，所以如果EUV光刻机一旦停止，全球的芯片工艺可能也会停止。
而从目前的情况来看，目前ASML的EUV光刻机，前方已经无路可走，可能要走进死胡同里了。
之前ASML推出的EUV光刻机，是NA=0.33的光刻机，NA代表的是数值孔径，数值孔径越大，进入的光线越多，功率就越大，分辨率就越高，制造的芯片就越先进。
NA=0.33的光刻机，售价大约是1.5亿美元一台，也是当前台积电、三星、英特尔们主要采用的EUV光刻机。
不过ASML认为，到了2nm时，应该要换成另外一种光刻机，也就是NA=0.55的光刻机，NA大了，分辨率就更高了，制造更先进的芯片时，就更容易了。
但这种NA=0.5的光刻机有个缺点，就是贵，售价高达4亿美元一台了。
所以目前才卖出5台，反正台积电称自己不感兴趣，因为太贵了， 计划再研究研究现有的EUV，将NA=0.33的EUV光刻机，尽量用到1.4nm再说，换成新的？台积电说不划算。
这对于ASML而言，是一个巨大打击，从NA=0.33到NA=0.55，ASML研发了10年，花了几上百亿美元，最后如果没人买单，研发就打了水漂了。
而在ASML的计划中，之后其实还有NA=0.75的Hpyer NA EUV光刻机的，不过据称这种光刻机，其售价可能会高达8亿美元。
可以想象的是，这种光刻机制造出来，谁敢买单？毕竟这价格，要制造多少块芯片才能回本？
所以现在业内人士认为，其实ASML的这种EUV光刻机，其实前面是无路可走了，再继续提升NA是毫无意义的，ASML的方向，不是去提高数值孔径，而是换一种另外波长更短的光刻机了，而不是死守13.5nm波长的光线了。
因为波长一变短，NA、分辨率等问题就迎刃而解了，且科学界目前正在寻找合适的 6.7nm 和 4.4nm 波长的光源，但ASML却想着基于13.5nm波长，继续提高数值孔径，没想着换一个方向研发。
当然，现在一切都只是推测，ASML是不是真方向错了，或者未来6.7nm、4.4nm波长的光刻机才是出路，只能用时间来验证了。
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